不久前英特尔正式拿出了 14 纳米 FinFET（鳍式场效晶体管）工艺，三星等厂商也正努力向这个目标迈进。但是近日台积电和 ARM 表示他们已经联手搞定了10 纳米 FinFET（鳍式场效晶体管）的芯片制造工艺。将会在 2015 年底将这项技术投入生产。

目前台积电生产的主要是采用 20 纳米 FinFET 工艺的处理器芯片，主要为苹果、高通等的 ARM 架构处理器服务。而在不久前台积电刚刚宣布和海思半导体合作，成功制造出了世界上第一颗基于 16 纳米 FinFET 制造工艺、ARM 架构的网络处理器。基于 ARM Cortex-A57 64 位架构，主频可达 2.6GHz，比上代性能提升了 3 倍，而且支持虚拟化、软件定义网络(SDN)、网络功能虚拟化(NFV)，功耗优化也取得了新的飞跃，可用于高端网络领域。

而此次 10 纳米 FinFET（鳍式场效晶体管）的芯片制造工艺将是突破性的，目前在20 纳米 FinFET 工艺上台积电在芯片金属层连结和芯片闸密度上都超越了英特尔，一旦在晶体管效能上超越英特尔，台积电将全面超越英特尔成为全球半导体新霸主。

台积电和 ARM 计划在明年的第四季度推出一款基于10 纳米 FinFET（鳍式场效晶体管）工艺制造的 64 位架构 ARMv8-A 处理器，进一步缩减制程技术后，预期将使相同架构处理器产品能以更少电功耗发挥更高的运作效能，或是更进一步缩减硬件产品体积、散热所需空间等特性。